onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4.1 A 2.1 W, 8-Pin ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 780-0589
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHD4102PT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 25 Stück)*
CHF.7.625
Auf Lager
- Zusätzlich 2’600 Einheit(en) mit Versand ab 28. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 25 + | CHF.0.305 | CHF.7.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 780-0589
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHD4102PT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | ChipFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße ChipFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dual-P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 4.1 A 2.1 W, 8-Pin ChipFET
- onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.7 A 2.5 W, 8-Pin ChipFET
- onsemi NTK Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 6.7 A 2.5 W, 8-Pin NTHS4101PT1G ChipFET
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 3.1 W, 8-Pin ChipFET
- Vishay IRFI Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 4.1 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
- Vishay IRFI Typ P-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 4.1 A 35 W, 3-Pin IRFI9634GPBF TO-220FP
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.8 A 2.1 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isoliert Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 4.8 A 2.1 W, 8-Pin SOIC ZXMP6A18DN8TA