onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 6.7 A 42 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.5.46

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • 2’150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90CHF.0.546CHF.5.45
100 - 240CHF.0.473CHF.4.69
250 - 490CHF.0.41CHF.4.07
500 - 990CHF.0.357CHF.3.57
1000 +CHF.0.326CHF.3.26

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
809-0884
Distrelec-Artikelnummer:
304-45-651
Herst. Teile-Nr.:
FDD4243
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

69mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.86V

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links