onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 35 V / 55 A 57 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 759-9093
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD6637
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.6.30
Lieferengpass
- Zusätzlich 3’165 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.26 | CHF.6.28 |
| 50 - 95 | CHF.1.082 | CHF.5.41 |
| 100 - 495 | CHF.0.935 | CHF.4.69 |
| 500 - 995 | CHF.0.83 | CHF.4.13 |
| 1000 + | CHF.0.756 | CHF.3.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9093
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD6637
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 35V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 35V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-P-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 35 V / 55 A 57 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche PowerTrench-MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 69 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 57 A 44 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8.4 A 69 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 6.7 A 42 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A 52 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6.7 A 52 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 58 A 55 W, 3-Pin TO-252