onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 58 A 55 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
166-2638
Herst. Teile-Nr.:
FDD8880
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

55W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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