DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 68.8 A 62.5 W, 4-Pin DMT10H010LK3-13 TO-252

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DMT10H010LK3-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

DMT

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.1 mm

Länge

6.58mm

Höhe

2.29mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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