DiodesZetex DMT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 11.5 A 1.97 W, 6-Pin UDFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
165-8419
Herst. Teile-Nr.:
DMT5015LFDF-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

UDFN

Serie

DMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.97W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.58mm

Breite

2.05mm

Länge

2.05mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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