DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.1 A 2.1 W, 6-Pin DMT3006LFDFQ-7 UDFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2866
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT3006LFDFQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.284 | CHF.7.12 |
| 50 - 75 | CHF.0.273 | CHF.6.95 |
| 100 - 225 | CHF.0.20 | CHF.4.94 |
| 250 - 975 | CHF.0.189 | CHF.4.85 |
| 1000 + | CHF.0.158 | CHF.3.94 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-2866
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT3006LFDFQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Höhe | 0.63mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05 mm | ||
Höhe 0.63mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform
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