DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.1 A 2.1 W, 6-Pin UDFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-2866
Herst. Teile-Nr.:
DMT3006LFDFQ-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMT

Gehäusegröße

UDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.63mm

Länge

2.05mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Leiterplattenmaß von 4 mm²

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

Verwandte Links