DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.1 A 2.1 W, 6-Pin UDFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2865
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT3006LFDFQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.474.00
Auf Lager
- Zusätzlich 6’000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.158 | CHF.481.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2865
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT3006LFDFQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.63mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Breite | 2.05 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.63mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Breite 2.05 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform
Verwandte Links
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.1 A 2.1 W, 6-Pin DMT3006LFDFQ-7 UDFN
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 1.58 W, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 11.5 A 1.97 W, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.5 A 1.58 W, 6-Pin DMT6030LFCL-7 UDFN
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 11.5 A 1.97 W, 6-Pin DMT5015LFDF-7 UDFN
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.7 A 1.8 W, 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 26.5 A 2.1 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.7 A 1.8 W, 6-Pin UDFN-2020 DMT3020LFDBQ-7