DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 31.8 A 28.4 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 222-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6015LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.389 | CHF.9.61 |
| 50 - 75 | CHF.0.378 | CHF.9.40 |
| 100 - 225 | CHF.0.273 | CHF.6.70 |
| 250 - 975 | CHF.0.263 | CHF.6.53 |
| 1000 + | CHF.0.189 | CHF.4.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6015LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28.4W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28.4W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion
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