DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 26.5 A 2.1 W, 8-Pin PowerDI3333-8 DMT4014LDV-7
- RS Best.-Nr.:
- 222-2873
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4014LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.19.425
Auf Lager
- Zusätzlich 1’925 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.777 | CHF.19.55 |
| 50 - 75 | CHF.0.767 | CHF.19.16 |
| 100 - 225 | CHF.0.546 | CHF.13.57 |
| 250 + | CHF.0.536 | CHF.13.31 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2873
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4014LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.019Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.019Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Niedriger RDS(ON) - Stellt sicher, dass Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Verwandte Links
- DiodesZetex DMT N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 26,5 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMT N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 21,2 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMT N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 31,8 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMTH N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 49,8 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMTH N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 52,4 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 14,2 A 2,45 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 60 V, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 7,2 A 810 mW, 8-Pin PowerDI3333-8