DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-2874
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 222-2874
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
ESD-geschütztes Gate
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