DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

CHF.568.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 27. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +CHF.0.284CHF.575.40

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-2874
Herst. Teile-Nr.:
DMT4015LDV-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DMT

Gehäusegröße

PowerDI3333-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.02Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.6nC

Durchlassspannung Vf

0.7V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

ESD-geschütztes Gate

Verwandte Links