DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-2875
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.16.025
Auf Lager
- 1’800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.641 | CHF.16.07 |
| 50 - 75 | CHF.0.63 | CHF.15.75 |
| 100 - 225 | CHF.0.441 | CHF.11.13 |
| 250 - 975 | CHF.0.441 | CHF.10.90 |
| 1000 + | CHF.0.315 | CHF.7.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2875
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
ESD-geschütztes Gate
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 26.5 A 2.1 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 31.8 A 28.4 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 62.5 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 10.6 A 16 W, 8-Pin VDFN-3030
- DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.6 A 1.4 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Doppelt DMT47 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30.2 A 14.8 W, 8-Pin PowerDI3333