Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

CHF.3’990.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 10’000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +CHF.0.798CHF.3’979.50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
133-6576
Herst. Teile-Nr.:
BSC009NE2LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SuperSO

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.35 mm

Länge

5.49mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 5, 223 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 74 W maximale Verlustleistung - BSC009NE2LS5ATMA1


Dieser Hochleistungs-MOSFET wurde für Power-Management-Anwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit. Dank seiner optimierten Eigenschaften eignet er sich für verschiedene Anwendungen in der Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik. Die N-Kanal-Konfiguration und das fortschrittliche Design erleichtern die effektive Verwaltung hoher Stromlasten bei gleichzeitig niedrigem On-Widerstand, was ihn zu einer bevorzugten Wahl für moderne Schaltungen macht.

Eigenschaften und Vorteile


• Unterstützt Hochstromanwendungen mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 223A

• Sehr niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Energieeffizienz im Betrieb

• Kann einer maximalen Drain-Source-Spannung von 25 V standhalten

• Ein kompaktes SuperSO8-Gehäuse für die effiziente Oberflächenmontage

• Effektive thermische Leistung für die Wärmeableitung

• 100 % lawinengeprüft, um robuste Zuverlässigkeit zu gewährleisten

Anwendungsbereich


• Einsatz in Hochleistungs-Abwärtswandlern zur effizienten Spannungsregelung

• Geeignet für das Energiemanagement in der Unterhaltungselektronik

• Implementiert in der Automobilindustrie wo kompaktes Design entscheidend ist

• Einsatz in Systemen für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung

Was ist der optimale Betriebstemperaturbereich für die Installation?


Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -55°C und +150°C und ist somit vielseitig unter verschiedenen Umgebungsbedingungen einsetzbar.

Kann es für synchrone Gleichrichtungsanwendungen verwendet werden?


Ja, der niedrige RDS(on) sorgt für minimale Leitungsverluste, wodurch er sich für die Synchrongleichrichtung eignet.

Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?


Um eine Beschädigung des MOSFETs zu vermeiden, sind die üblichen Vorsichtsmaßnahmen für elektrostatische Entladungen (ESD) zu beachten.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Leistung aus?


Eine typische Gate-Ladung von 43nC bei 10 V trägt zur Aufrechterhaltung schneller Schaltgeschwindigkeiten bei und verbessert die Gesamteffizienz.

Ist dieses Bauteil RoHS-konform?


Ja, es verfügt über eine Pb-freie Bleibeschichtung und ist RoHS-konform, was den modernen Umweltstandards entspricht.

Verwandte Links