Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 74 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 133-6576
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC009NE2LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC009NE2LS5ATMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.49mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.49mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 5, 223 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 74 W maximale Verlustleistung - BSC009NE2LS5ATMA1
Dieser Hochleistungs-MOSFET wurde für Power-Management-Anwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit. Dank seiner optimierten Eigenschaften eignet er sich für verschiedene Anwendungen in der Automatisierung, Elektronik und Elektrotechnik. Die N-Kanal-Konfiguration und das fortschrittliche Design erleichtern die effektive Verwaltung hoher Stromlasten bei gleichzeitig niedrigem On-Widerstand, was ihn zu einer bevorzugten Wahl für moderne Schaltungen macht.
Eigenschaften und Vorteile
• Unterstützt Hochstromanwendungen mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 223A
• Sehr niedriger Einschaltwiderstand verbessert die Energieeffizienz im Betrieb
• Kann einer maximalen Drain-Source-Spannung von 25 V standhalten
• Ein kompaktes SuperSO8-Gehäuse für die effiziente Oberflächenmontage
• Effektive thermische Leistung für die Wärmeableitung
• 100 % lawinengeprüft, um robuste Zuverlässigkeit zu gewährleisten
Anwendungsbereich
• Einsatz in Hochleistungs-Abwärtswandlern zur effizienten Spannungsregelung
• Geeignet für das Energiemanagement in der Unterhaltungselektronik
• Implementiert in der Automobilindustrie wo kompaktes Design entscheidend ist
• Einsatz in Systemen für erneuerbare Energien zur effektiven Energieumwandlung
Was ist der optimale Betriebstemperaturbereich für die Installation?
Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -55°C und +150°C und ist somit vielseitig unter verschiedenen Umgebungsbedingungen einsetzbar.
Kann es für synchrone Gleichrichtungsanwendungen verwendet werden?
Ja, der niedrige RDS(on) sorgt für minimale Leitungsverluste, wodurch er sich für die Synchrongleichrichtung eignet.
Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?
Um eine Beschädigung des MOSFETs zu vermeiden, sind die üblichen Vorsichtsmaßnahmen für elektrostatische Entladungen (ESD) zu beachten.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Leistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 43nC bei 10 V trägt zur Aufrechterhaltung schneller Schaltgeschwindigkeiten bei und verbessert die Gesamteffizienz.
Ist dieses Bauteil RoHS-konform?
Ja, es verfügt über eine Pb-freie Bleibeschichtung und ist RoHS-konform, was den modernen Umweltstandards entspricht.
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