Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 133-9798
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0901NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.5.41
Wird eingestellt
- Letzte 55 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.1.082 | CHF.5.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 133-9798
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0901NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.35 mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 433 A 188 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 479 A 188 W, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON-8 FL
- Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TDSON