Infineon OptiMOS™ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 479 A 188 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 236-3639
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 236-3639
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 479A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.45mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 479A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie OptiMOS™ | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.45mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOSTM Serie MOSFET, 25 V maximale Drain-Source-Spannung, 479 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC004NE2LS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleiter, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen hohen Dauerstrom und geringe Leitungsverluste erfordern, während er in einem TDSON-Gehäuse montiert ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der kontinuierliche Ablassstrom des 479 A reduziert die Leitungsbeschränkungen bei hohen Lasten
• Maximale RDS(on) von 0,45 mΩ reduziert die Energieverlust im eingeschalteten Zustand
• Die maximale Ablass-Quellenspannung von 25 V ermöglicht Niederspannungsstufen
• Die maximale Verlustleistung von 188 W unterstützt eine erhöhte thermische Belastung
• 135 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schalten für Gate-Drive-Design
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Maximale RDS(on) von 0,45 mΩ reduziert die Energieverlust im eingeschalteten Zustand
• Die maximale Ablass-Quellenspannung von 25 V ermöglicht Niederspannungsstufen
• Die maximale Verlustleistung von 188 W unterstützt eine erhöhte thermische Belastung
• 135 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schalten für Gate-Drive-Design
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Gleichstrom-Stromverteilermodule
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Niederspannungswandlern
• Wird mit Motorwechselrichterstufen verwendet, die hohe Spitzenströme erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Hochleistungszellen verwendet werden
• Wird für Leistungsstufen in Telekommunikationsgleichrichtern verwendet
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Niederspannungswandlern
• Wird mit Motorwechselrichterstufen verwendet, die hohe Spitzenströme erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Hochleistungszellen verwendet werden
• Wird für Leistungsstufen in Telekommunikationsgleichrichtern verwendet
Welchen Umgebungstemperaturen kann es standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TDSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung auf das Design aus?
Die Gate-Ladung von 135 nC erfordert eine Treibergröße für eine höhere Ladungsübertragung, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit und Verluste zu erfüllen.
Welche Polarität des Kanals verwendet er und wie wirkt sich dies auf die Nutzung aus?
Es verwendet eine N-Kanal-Topologie, die für Low-Side-Schalt- und synchrone Gleichrichterkonfigurationen geeignet ist.
Welche Spannungs- und Stromgrenzen sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Das Design sollte eine maximale Ablass-Quellenspannung von 25 V und einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 479 A einhalten.
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