Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 479 A 188 W, 8-Pin BSC004NE2LS5ATMA1 TDSON

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RS Best.-Nr.:
236-3641
Herst. Teile-Nr.:
BSC004NE2LS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

479A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35 mm

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET bietet Referenzlösungen durch die Aktivierung höchster Leistungsdichte und Energieeffizienz, sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb. Er bietet einen Durchlasswiderstand der Drain-Quelle von 0,45 m Ohm.

Höchster Wirkungsgrad

Höchste Leistungsdichte im SuperSO8-Gehäuse

Reduzierung der Gesamtsystemkosten

RoHS-konform

Halogenfrei

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