Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 257 A 188 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0680
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC014N06NSTATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 258-0680
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- BSC014N06NSTATMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 257A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.45mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 89nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 257A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.45mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 89nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS 5 in SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigeren Nennwerten bietet die 175 °C TJ_MAX-Funktion entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebsverbindungstemperatur oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebsverbindungstemperatur. Darüber hinaus wird eine Verbesserung des sicheren Betriebsbereichs um 20 % erreicht. Dieses neue Gehäuse passt perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server.
Niedriger RDS(on)
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Längere Lebensdauer
Höchster Wirkungsgrad und höchste Leistungsdichte
Höchste Systemzuverlässigkeit
Thermische Robustheit
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