Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / -22 A 188 W, 8-Pin PG-TDSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-785
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC16DP15LMATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 284-785
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC16DP15LMATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET mit OptiMOS-Leistungstransistor wurde entwickelt, um eine außergewöhnliche Leistung für eine Reihe von Industrieanwendungen zu liefern. Mit seiner erweiterten P-Kanal-Architektur und seiner robusten Konstruktion sorgt er für Zuverlässigkeit auch unter anspruchsvollen Bedingungen. Mit einer Durchbruchsspannung von 150 V ist dieser Transistor für den effektiven Umgang mit hohen Spannungen ausgelegt. Sein niedriger Einschaltwiderstand trägt zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei und macht ihn zu einer wertvollen Komponente in Energiemanagementsystemen. Durch die Einhaltung der RoHS-Normen unterstreicht dieser Transistor sein Engagement für ökologische Nachhaltigkeit und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für zukunftsorientierte Projekte.
Sehr geringer Widerstand für Effizienz
100% lawinengeprüft und zuverlässig
Kompatibilität mit Gattersteuerungen auf Logikniveau
Hervorragende thermische Leistung reduziert Wärme
RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit
Qualifiziert nach JEDEC-Standards für Zuverlässigkeit
Kompaktes Design für anpassungsfähige Konfigurationen
Halogenfreie Bleibeschichtung für mehr Umweltsicherheit
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