Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / -22 A 188 W, 8-Pin ISC16DP15LMATMA1

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RS Best.-Nr.:
284-785
Herst. Teile-Nr.:
ISC16DP15LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-22A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Serie

OptiMOS Power Transistor

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET mit OptiMOS-Leistungstransistor wurde entwickelt, um eine außergewöhnliche Leistung für eine Reihe von Industrieanwendungen zu liefern. Mit seiner erweiterten P-Kanal-Architektur und seiner robusten Konstruktion sorgt er für Zuverlässigkeit auch unter anspruchsvollen Bedingungen. Mit einer Durchbruchsspannung von 150 V ist dieser Transistor für den effektiven Umgang mit hohen Spannungen ausgelegt. Sein niedriger Einschaltwiderstand trägt zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei und macht ihn zu einer wertvollen Komponente in Energiemanagementsystemen. Durch die Einhaltung der RoHS-Normen unterstreicht dieser Transistor sein Engagement für ökologische Nachhaltigkeit und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für zukunftsorientierte Projekte.

Sehr geringer Widerstand für Effizienz

100% lawinengeprüft und zuverlässig

Kompatibilität mit Gattersteuerungen auf Logikniveau

Hervorragende thermische Leistung reduziert Wärme

RoHS-konform für Umweltfreundlichkeit

Qualifiziert nach JEDEC-Standards für Zuverlässigkeit

Kompaktes Design für anpassungsfähige Konfigurationen

Halogenfreie Bleibeschichtung für mehr Umweltsicherheit

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