Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 86 A 125 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 285-048
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC073N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 285-048
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- ISC073N12LM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein fortschrittlicher N-Kanal-Leistungs-Transistor, der sich in Hochfrequenz-Schaltanwendungen hervorhebt. Es wurde mit der innovativen OptiMOS 6-Technologie entwickelt und bietet außergewöhnliche Effizienz und Leistung. Mit einem niedrigen Einschaltwiderstand und einer hohen Avalanche-Energieleistung ist dieses Bauteil für anspruchsvolle industrielle Anwendungen optimiert und gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch in schwierigen thermischen Umgebungen. Das kompakte PG TDSON 8-Gehäuse verbessert die Benutzerfreundlichkeit weiter und erleichtert die Integration in verschiedene Designs. Der Transistor arbeitet nahtlos über einen weiten Temperaturbereich, was die Vielseitigkeit in zahlreichen Anwendungen erleichtert.
N-Kanal-Design für verbesserte Leistung
Optimiert für hochfrequentes Schalten
Niedriger Widerstand steigert die Energieeffizienz
Hohe Lawinenklasse garantiert Zuverlässigkeit
Kompaktes Gehäuse spart Platz bei der Konstruktion
RoHS-konform für Nachhaltigkeit
MSL 1 für einfaches Löten
Interne Body-Diode verbessert die Funktionalität
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