Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -19.6 A 83 W, 8-Pin ISC800P06LMATMA1

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RS Best.-Nr.:
285-057
Herst. Teile-Nr.:
ISC800P06LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-19.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS Power Transistor

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET verfügt über einen OptiMOS-Leistungstransistor, der mit seiner überlegenen P-Kanal-Technologie, die für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, Effizienz neu definiert. Mit einer Durchbruchsspannung von 60 V ist er für den robusten industriellen Einsatz konzipiert und gewährleistet zuverlässige Leistung unter wechselnden Betriebsbedingungen. Das einzigartige SuperSO8-Gehäuse ermöglicht einen optimalen thermischen Pfad für die Wärmeableitung, wodurch die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Bauelements erhöht wird. Dieser Transistor wird strengen Tests unterzogen, einschließlich eines 100 %igen Avalanche-Tests, um sicherzustellen, dass er den höchsten Standards für Zuverlässigkeit und Qualität entspricht. Mit seinem branchenführend niedrigen Widerstand reduziert er die Leistungsverluste erheblich, was ihn zu einer ausgezeichneten Wahl für energiebewusste Designs macht.

Sehr geringer Widerstand verbessert die Effizienz

100% lawinengeprüft und zuverlässig

Pb-freie Bleibeschichtung für Konformität

Halogenfreie Konstruktion unterstützt die Umweltfreundlichkeit

Logikpegel-Betrieb für einfaches Interfacing

Geeignet für verschiedene industrielle Anwendungen

Hervorragende thermische Eigenschaften gewährleisten Zuverlässigkeit

Enhancement Mode Design für stabile Leistung

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