Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10.3 A 28 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 133-9867
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 133-9867
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.27mm | |
| Länge | 11.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.27mm | ||
Länge 11.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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