Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10.3 A 28 W, 3-Pin TO-220FP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
133-9867
Herst. Teile-Nr.:
IPAW60R600CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Serie

CoolMOS CE

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600 V

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10.3 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

28 W

Pinanzahl

3

Gehäusegröße

TO-220FP

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

900 mV

Höhe

16.27 mm

Länge

11.3 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.6 Ω

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-30 V, +30 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

20.5 nC

Breite

4.9 mm

Ursprungsland:
CN

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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