Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10.3 A 28 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 133-9787
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 133-9787
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAW60R600CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 11.3mm | |
| Höhe | 16.27mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 11.3mm | ||
Höhe 16.27mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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