Teile-Nr.

Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin IPU60R1K5CEAKMA2 IPAK

RS Best.-Nr.:: 217-2585
Herst. Teile-Nr.:: IPU60R1K5CEAKMA2
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin IPU60R1K5CEAKMA2 IPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 217-2585
Herst. Teile-Nr.:: IPU60R1K5CEAKMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	IPAK
	Serie	CoolMOS CE
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.5Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	9.4nC
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd	49W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22 mm
	Höhe	2.41mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße IPAK
	Serie CoolMOS CE
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.4nC
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd 49W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22 mm
	Höhe 2.41mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPU60R1K5CEAKMA2

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin IPU60R1K5CEAKMA2 IPAK

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