Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 3.7 A 22 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 218-3081
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF.0.293 | CHF.21.67 |
| 150 - 300 | CHF.0.222 | CHF.16.67 |
| 375 - 675 | CHF.0.212 | CHF.15.61 |
| 750 - 1800 | CHF.0.192 | CHF.14.46 |
| 1875 + | CHF.0.182 | CHF.13.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3081
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.1Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2.41 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2.41 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 600V CoolMOS TM CE-Serie. Die CoolMOS TM CE-Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten. Dieser MOSFET wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
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