Infineon 700V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 4 A 42 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 218-3080
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R2K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.21.20
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 14. Juli 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.424 | CHF.21.01 |
| 100 - 200 | CHF.0.283 | CHF.14.29 |
| 250 - 450 | CHF.0.273 | CHF.13.43 |
| 500 - 1200 | CHF.0.253 | CHF.12.63 |
| 1250 + | CHF.0.232 | CHF.11.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3080
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R2K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | 700V CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie 700V CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 700V CoolMOS. Diese Serie bietet alle Vorteile einer schnellen Schaltüberschaltung MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und
Bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Verwandte Links
- Infineon 700V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 4 A 42 W, 3-Pin IPAK
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin IPAK
- Infineon 700V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 7.4 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin IPAK
- Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 3.7 A 22 W, 3-Pin IPAK
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 34.7 W, 3-Pin IPAK
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 700 V / 10 A, 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 8.5 A, 3-Pin TO-220