Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 214-4422
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.13.02
Auf Lager
- Zusätzlich 1’240 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF.0.651 | CHF.12.92 |
| 100 - 180 | CHF.0.494 | CHF.9.93 |
| 200 - 480 | CHF.0.462 | CHF.9.28 |
| 500 - 980 | CHF.0.431 | CHF.8.65 |
| 1000 + | CHF.0.399 | CHF.8.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4422
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R360P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Super Junction MOSFET-Serie 700V Cool MOS P7 ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter geeignet und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen.
Es unterstützt weniger magnetische Größen mit geringeren BOM-Kosten
Er verfügt über eine hohe ESD-Robustheit
Verwandte Links
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin IPAK
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin IPD70R360P7SAUMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 26.5 W, 3-Pin
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 7.2 W, 3-Pin IPN70R360P7SATMA1
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 26.5 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 7.2 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A, 3-Pin TO-220