Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4393
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-408
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R900P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4393
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-408
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R900P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.42 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 6.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30.5W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.42 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 6.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-700-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET-Serie ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter geeignet und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen.
Es unterstützt weniger magnetische Größen mit geringeren BOM-Kosten
Er verfügt über eine hohe ESD-Robustheit
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