Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4393
Distrelec-Artikelnummer:
304-39-408
Herst. Teile-Nr.:
IPD70R900P7SAUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

30.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Durchlassspannung Vf

900mV

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.42mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.65mm

Höhe

2.35mm

Automobilstandard

Nein

Infineon 700 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V maximale Drain-Source-Spannung, 6 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70R900P7SAUMA1


Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Stromversorgungsanwendungen vorgesehen, bei denen eine hohe Sperrspannung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät unterstützt den Betrieb im Enhancement-Modus und eignet sich für Systeme, die kompakte Leistungskomponenten mit kontrollierten Gate-Drive-Eigenschaften erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• 700 V Blockierungsspannung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung
• 900 mΩ Rds(on), begrenzte Leitungsverluste unter Last
• 6.8 nC typische Gate-Ladung für schnellere Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 30.5 W für den thermischen Kopfraum
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 16 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb

Anwendungsbereich


• Geeignet für SMPS-Primärschalteraufgaben in Hochspannungsversorgungen
• Ideal für Offline-Stromversorgungen, die eine 700-V-Sperrung erfordern
• Wird mit Leistungswandlern verwendet, die moderaten Gleichstrom benötigen
• Kann für Schaltmodus-Topologien in industriellen Geräten verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen

Welcher Gehäusetyp ist für die Leiterplattenmontage vorgesehen?


Er wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine gelötete Leiterplattenbefestigung und einen effizienten Wärmekontakt ermöglicht.

Wie wirkt sich der Temperaturbereich auf den Einsatz in rauen Umgebungen aus?


Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt und unterstützt Anwendungen mit erhöhten Sperrschichttemperaturen und großen Umgebungsvariationen.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten bei Designs beachtet werden?


Das Gate darf ±16 V bezogen auf die Quelle nicht überschreiten, daher sollten Gate-Drive-Schaltkreise eine Klemmung oder Pegelverschiebung umfassen, um Überspannungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich der Kanal und der Modus des Geräts auf die Schaltkreistopologie aus?


Da es sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät handelt, erfordert es eine positive Gate-Source-Spannung für die Leitung und eignet sich für Low-Side- oder High-Side-Schaltungen mit geeigneten Treiberanordnungen.

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