Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 10.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 215-2508
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 10.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 10.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V Drain-Source-Spannung, 8,5 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70R600P7SAUMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine hohe Ablass-Quellenspannung erfordern, während er gleichzeitig eine moderate Leitfähigkeit und eine thermische Handhabung für kompakte SMD-Layouts bietet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Drain-Source-Bewertung von 700 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge
• 8.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastleitung
• Ein Rds(on) von 600 mΩ begrenzt die Leitungsverluste in Konstruktionen mit mittlerer Leistung
• Maximale Verlustleistung von 10,5 W ermöglicht eine zuverlässige thermische Spanne
• 10,5 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Eine Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 8.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Lastleitung
• Ein Rds(on) von 600 mΩ begrenzt die Leitungsverluste in Konstruktionen mit mittlerer Leistung
• Maximale Verlustleistung von 10,5 W ermöglicht eine zuverlässige thermische Spanne
• 10,5 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Eine Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für Primärseitige Stromumwandlungsstufen
• Wird mit resonanten und hard-switched-Topologien verwendet
• Kann für Vorschaltgeräte für industrielle Beleuchtung verwendet werden
• Einsatz in kompakten SMD-Leistungsmodulen
• Ideal für Primärseitige Stromumwandlungsstufen
• Wird mit resonanten und hard-switched-Topologien verwendet
• Kann für Vorschaltgeräte für industrielle Beleuchtung verwendet werden
• Einsatz in kompakten SMD-Leistungsmodulen
Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und deckt einen breiten Bereich von thermischen Umgebungen ab.
Wie viele elektrische Verbindungen bietet er für das Leiterplatten-Layout?
Das Gerät verfügt über drei Pins in einem TO‐252-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das ein herkömmliches SMD-Design erfordert.
Welche Leitungscharakteristik bestimmt den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand?
Der Einschaltwiderstand von 600 mΩ definiert den Spannungsabfall bei einem bestimmten Ableitstrom und wirkt sich auf die Leitungsverluste aus.
Wie wirkt sich der Gate-Antrieb auf die Schaltleistung aus?
Die typische Gate-Ladung von 10,5 nC bei Vgs beeinflusst den erforderlichen Antriebsstrom und die Schaltgeschwindigkeit für einen bestimmten Gate-Treiber.
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