Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9047
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 10.10 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF 21.20
Auf Lager
- Zusätzlich 12'150 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.424 | CHF 21.11 | - |
| 100 - 200 | CHF 0.323 | CHF 16.26 | CHF 10.10 |
| 250 - 450 | CHF 0.303 | CHF 15.20 | CHF 30.25 |
| 500 - 1200 | CHF 0.283 | CHF 14.14 | CHF 70.50 |
| 1250 + | CHF 0.263 | CHF 13.08 | CHF 201.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9047
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.7W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.7W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V maximale Drain-Source-Spannung, 4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70R1K4P7SAUMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für Leistungsumwandlungs- und Antriebsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und bietet N-Kanal-Enhancement-Modus-Schaltfunktionen, die für oberflächenmontierte Baugruppen in anspruchsvollen elektrischen Systemen geeignet sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 700 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger RDS(on) von 1,4 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 22,7 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• 4.7 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung
• Die Gate-Bewertung von 16 V ermöglicht einen erheblichen Platzbedarf für den Gate-Treiber
• 4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Niedriger RDS(on) von 1,4 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 22,7 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• 4.7 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung
• Die Gate-Bewertung von 16 V ermöglicht einen erheblichen Platzbedarf für den Gate-Treiber
Anwendungsbereich
• Geeignet für SMPS-Primärschaltstufen
• Ideal für motorbetriebene Halbbrückenschalter
• Verwendung mit industriellen Hochspannungsnetzteilen
• Kann für die Schaltleistungsregelung verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungen
• Ideal für motorbetriebene Halbbrückenschalter
• Verwendung mit industriellen Hochspannungsnetzteilen
• Kann für die Schaltleistungsregelung verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungen
Welcher Temperaturbereich ist für den Betrieb akzeptabel?
Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt.
Welche Gehäusetyp und Montageart wird verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.
Wie viele Stifte sind für den Leiterplattenanschluss verfügbar?
Es gibt drei elektrische Pins für den Standard-MOSFET-Anschluss.
Wie hoch ist die typische Durchlassspannung bei der Leitung?
Die Durchlassspannung unter den angegebenen Bedingungen beträgt 0,9 V.
Welche Kanalcharakteristiken beeinflussen das Verhalten des Geräts?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät mit spezifizierten Gate- und Ablassgrenzen.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 59.5 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 10.5 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 10 A 22.7 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 34.7 W, 3-Pin IPAK