Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 214-9047
Herst. Teile-Nr.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-9047
Herst. Teile-Nr.:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Serie	CoolMOS P7
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Maximale Verlustleistung Pd	22.7W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.7nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	2.41mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Breite	6.22 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Serie CoolMOS P7
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Maximale Verlustleistung Pd 22.7W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 2.41mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Breite 6.22 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.

Es hat ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252

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