Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 10 A 22.7 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4358
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.42 | CHF.21.16 |
| 100 - 200 | CHF.0.41 | CHF.20.58 |
| 250 - 450 | CHF.0.399 | CHF.20.06 |
| 500 - 1200 | CHF.0.389 | CHF.19.53 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4358
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.68mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 16.15 mm | |
| Höhe | 4.85mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.68mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 16.15 mm | ||
Höhe 4.85mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Super Junction MOSFET-Serie 700V Cool MOS P7 ist für den SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter geeignet und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen.
Es unterstützt weniger magnetische Größen mit geringeren BOM-Kosten
Er verfügt über eine hohe ESD-Robustheit
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