Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9046
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 214-9046
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.
Es hat ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
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