Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 214-4394
Herst. Teile-Nr.:: IPD70R900P7SAUMA1
Marke:: Infineon

Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-4394
Herst. Teile-Nr.:: IPD70R900P7SAUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	700V CoolMOS P7
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	900mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	30.5W
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.8nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.65mm
	Breite	6.42mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie 700V CoolMOS P7
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 30.5W
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.65mm
	Breite 6.42mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.35mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD70R900P7SAUMA1

Infineon 700 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V maximale Drain-Source-Spannung, 6 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD70R900P7SAUMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Stromversorgungsanwendungen vorgesehen, bei denen eine hohe Sperrspannung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät unterstützt den Betrieb im Enhancement-Modus und eignet sich für Systeme, die kompakte Leistungskomponenten mit kontrollierten Gate-Drive-Eigenschaften erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 700 V Blockierungsspannung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Lastverarbeitung
• 900 mΩ Rds(on), begrenzte Leitungsverluste unter Last
• 6.8 nC typische Gate-Ladung für schnellere Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 30.5 W für den thermischen Kopfraum
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 16 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb

Anwendungsbereich

• Geeignet für SMPS-Primärschalteraufgaben in Hochspannungsversorgungen
• Ideal für Offline-Stromversorgungen, die eine 700-V-Sperrung erfordern
• Wird mit Leistungswandlern verwendet, die moderaten Gleichstrom benötigen
• Kann für Schaltmodus-Topologien in industriellen Geräten verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen

Welcher Gehäusetyp ist für die Leiterplattenmontage vorgesehen?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine gelötete Leiterplattenbefestigung und einen effizienten Wärmekontakt ermöglicht.

Wie wirkt sich der Temperaturbereich auf den Einsatz in rauen Umgebungen aus?

Das Gerät ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt und unterstützt Anwendungen mit erhöhten Sperrschichttemperaturen und großen Umgebungsvariationen.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten bei Designs beachtet werden?

Das Gate darf ±16 V bezogen auf die Quelle nicht überschreiten, daher sollten Gate-Drive-Schaltkreise eine Klemmung oder Pegelverschiebung umfassen, um Überspannungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich der Kanal und der Modus des Geräts auf die Schaltkreistopologie aus?

Da es sich um ein N-Kanal-Verbesserungsgerät handelt, erfordert es eine positive Gate-Source-Spannung für die Leitung und eignet sich für Low-Side- oder High-Side-Schaltungen mit geeigneten Treiberanordnungen.