Vishay SiR632DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 29 A 69.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
134-9159
Herst. Teile-Nr.:
SIR632DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR632DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

69.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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