Vishay SiR632DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 29 A 69.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 134-9159
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR632DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 134-9159
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR632DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiR632DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Breite | 5.26mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiR632DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Breite 5.26mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, TrenchFET bis Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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