onsemi NVD5C684NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 38 A 27 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 141-2080
- Herst. Teile-Nr.:
- NVD5C684NLT4G
- Marke:
- onsemi
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- 141-2080
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- NVD5C684NLT4G
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NVD5C684NL | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NVD5C684NL | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
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