onsemi NVMYS1D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 185-9246
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS1D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 185-9246
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMYS1D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 252A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NVMYS1D3N04C | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 134W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 4.25 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 252A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NVMYS1D3N04C | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 134W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 4.25 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Nicht-konform
- Ursprungsland:
- PH
MOSFET für die Automobilindustrie in einem 5x6mm LFPAK-Gehäuse, das für kompakte und effiziente Designs und hohe thermische Leistung konzipiert wurde. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für Automobilanwendungen, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Paket, Industriestandard
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
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