onsemi NTMYS5D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 71 A 50 W, 4-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 195-2521
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMYS5D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.28.35
Begrenzter Lagerbestand
- 975 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF.1.134 | CHF.28.43 |
| 100 - 225 | CHF.0.977 | CHF.24.52 |
| 250 + | CHF.0.851 | CHF.21.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 195-2521
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMYS5D3N04CTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 71A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | NTMYS5D3N04C | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4.25 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 71A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie NTMYS5D3N04C | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4.25 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET für Industrieanwendungen in einem 5x6 mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design mit hoher Wärmeleistung.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
LFPAK4-Gehäuse, Industriestandard
Diese Geräte sind bleifrei
Verwandte Links
- onsemi NTMYS5D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 71 A 50 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS5D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 71 A 50 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS8D0N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS7D3N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 52 A 38 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS8D0N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 38 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS1D3N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 252 A 134 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS011N04C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 35 A 28 W, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS014N06CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 36 A 37 W, 4-Pin LFPAK