onsemi NTMYS1D2N04CL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 189-0262
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 189-0262
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 258A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NTMYS1D2N04CL | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 109nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 134W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 258A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NTMYS1D2N04CL | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 109nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 134W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Industrieller Leistungs-MOSFET in einem 5 x 6 mm LFPAK-Gehäuse, entwickelt für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung.
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