onsemi NVD5C688NL-D Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 17 A 18 W, 3-Pin NVD5C688NLT4G TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
NVD5C688NLT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

NVD5C688NL-D

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Maximale Verlustleistung Pd

18W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.38mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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