ROHM BSM N-Kanal 2, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 180 A 880 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
144-2254
Herst. Teile-Nr.:
BSM180D12P3C007
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

BSM

Montageart

SMD

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

880W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

45.6mm

Länge

122mm

Höhe

17mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Ursprungsland:
JP

SiC-Strommodule, ROHM


Das Modul besteht aus einem DMOS-FET-Versorgungsgerät aus Siliziumkarbid (SiC) mit einer Schottky-Diode (SBD) über Drain und Source.

Halbbrückenkonfiguration

Niedriger Stoßstrom

Geringe Leistungsschaltverluste

Hochgeschwindigkeitsschalten

Niedrige Betriebstemperatur

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


Note

Im Lieferumfang des SiC-Versorgungsmoduls BSM180D12P2C101 sind keine Schottky-Dioden (SBD) enthalten.

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