ROHM BSM Typ N-Kanal 2 SiC-Leistungsmodul Erweiterung, 4-Pin

RS Best.-Nr.:: 144-2254
Herst. Teile-Nr.:: BSM180D12P3C007
Marke:: ROHM

ROHM BSM Typ N-Kanal 2 SiC-Leistungsmodul Erweiterung, 4-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 144-2254
Herst. Teile-Nr.:: BSM180D12P3C007
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Produkt Typ	SiC-Leistungsmodul
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Serie	BSM
	Pinanzahl	4
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	17mm
	Breite	45.6 mm
	Länge	122mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Produkt Typ SiC-Leistungsmodul
	Kabelkanaltyp Typ N
	Serie BSM
	Pinanzahl 4
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 17mm
	Breite 45.6 mm
	Länge 122mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2

Ursprungsland:: JP

SiC-Strommodule, ROHM

Das Modul besteht aus einem DMOS-FET-Versorgungsgerät aus Siliziumkarbid (SiC) mit einer Schottky-Diode (SBD) über Drain und Source.

Halbbrückenkonfiguration

Niedriger Stoßstrom

Geringe Leistungsschaltverluste

Hochgeschwindigkeitsschalten

Niedrige Betriebstemperatur

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

Note

Im Lieferumfang des SiC-Versorgungsmoduls BSM180D12P2C101 sind keine Schottky-Dioden (SBD) enthalten.

ROHM BSM Typ N-Kanal 2 SiC-Leistungsmodul Erweiterung, 4-Pin

SiC-Strommodule, ROHM

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

Note

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