ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 180 A 880 W, 4-Pin C

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RS Best.-Nr.:
144-2254
Herst. Teile-Nr.:
BSM180D12P3C007
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

C

Serie

BSM

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.6V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Verlustleistung max.

880 W

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

45.6mm

Länge

122mm

Transistor-Werkstoff

SiC

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

17mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Ursprungsland:
JP

SiC-Strommodule, ROHM


Das Modul besteht aus einem DMOS-FET-Versorgungsgerät aus Siliziumkarbid (SiC) mit einer Schottky-Diode (SBD) über Drain und Source.

Halbbrückenkonfiguration

Niedriger Stoßstrom

Geringe Leistungsschaltverluste

Hochgeschwindigkeitsschalten

Niedrige Betriebstemperatur

MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


Note

Im Lieferumfang des SiC-Versorgungsmoduls BSM180D12P2C101 sind keine Schottky-Dioden (SBD) enthalten.

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