Toshiba N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 144-5274
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K15AFS,LF(T
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K15AFS,LF(T
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.6mm | |
| Breite | 800μm | |
| Höhe | 700μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.6mm | ||
Breite 800μm | ||
Höhe 700μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET N-Kanal, Serie SSM3K, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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