Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 200 mW, 3-Pin SC-59
- RS Best.-Nr.:
- 601-1961
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1062(F)
- Marke:
- Toshiba
Vorübergehend ausverkauft
- RS Best.-Nr.:
- 601-1961
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1062(F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-59 | |
| Serie | 2SK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-59 | ||
Serie 2SK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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