Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN

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RS Best.-Nr.:
601-2122
Herst. Teile-Nr.:
2SK3700(F)
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Serie

2SK

Gehäusegröße

TO-3P W, TO-3PN

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

150000 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

4.8mm

Länge

15.9mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

19mm

Ursprungsland:
JP

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba



MOSFET-Transistoren, Toshiba

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