Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
415-354
Herst. Teile-Nr.:
2SK3878(F)
Marke:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Serie

2SK

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.9mm

Breite

4.8mm

Höhe

19mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba



MOSFET-Transistoren, Toshiba

Verwandte Links