Teile-Nr.

Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM

RS Best.-Nr.:: 760-3114
Herst. Teile-Nr.:: 2SK1829(TE85L,F)
Marke:: Toshiba

Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM

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RS Best.-Nr.:: 760-3114
Herst. Teile-Nr.:: 2SK1829(TE85L,F)
Marke:: Toshiba

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	USM
	Serie	2SK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	100mW
	Gate-Source-spannung max Vgs	±10 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2mm
	Höhe	0.9mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.25 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße USM
	Serie 2SK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 100mW
	Gate-Source-spannung max Vgs ±10 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2mm
	Höhe 0.9mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.25 mm
	Automobilstandard Nein

Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM

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