Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM
- RS Best.-Nr.:
- 760-3114
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1829(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 760-3114
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1829(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | USM | |
| Serie | 2SK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße USM | ||
Serie 2SK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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