Toshiba SSM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.2 A 800 mW, 3-Pin UFM
- RS Best.-Nr.:
- 639-5477
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3K116TU(TE85L)
- Marke:
- Toshiba
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SSM3 | |
| Gehäusegröße | UFM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 135mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 800mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SSM3 | ||
Gehäusegröße UFM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 135mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 800mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.7 mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
MOSFET N-Kanal, Serie SSM3K, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
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