Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
- RS Best.-Nr.:
- 639-5512
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J117TU(TE85L)
- Marke:
- Toshiba
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
CHF.0.42
Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | CHF.0.42 | CHF.4.232 |
| 250 - 990 | CHF.0.336 | CHF.3.402 |
| 1000 - 2490 | CHF.0.315 | CHF.3.171 |
| 2500 - 4990 | CHF.0.305 | CHF.3.087 |
| 5000 + | CHF.0.305 | CHF.3.014 |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 639-5512
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J117TU(TE85L)
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-P-Kanal, SSM3J-Serie, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | UFM |
| Serie | SSM3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 225 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.6V |
| Verlustleistung max. | 800 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 2mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 1.7mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 0.7mm |