ROHM RRF015P03 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.5 A 800 mW, 3-Pin TUMT
- RS Best.-Nr.:
- 826-7731
- Herst. Teile-Nr.:
- RRF015P03TL
- Marke:
- ROHM
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | CHF.0.252 | CHF.7.66 |
| 300 - 720 | CHF.0.231 | CHF.7.03 |
| 750 - 1470 | CHF.0.231 | CHF.6.84 |
| 1500 - 2970 | CHF.0.221 | CHF.6.65 |
| 3000 + | CHF.0.221 | CHF.6.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-7731
- Herst. Teile-Nr.:
- RRF015P03TL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TUMT | |
| Serie | RRF015P03 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 230mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 800mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.8 mm | |
| Höhe | 0.82mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TUMT | ||
Serie RRF015P03 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 230mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 800mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.8 mm | ||
Höhe 0.82mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
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