Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 43 A 71 W, 3-Pin IPP180N10N3GXKSA1 TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8721
Herst. Teile-Nr.:
IPP180N10N3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.95mm

Breite

4.57 mm

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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