Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 218-3061
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI45N06S409AKSA2
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 50 | CHF.0.798 | CHF.39.90 |
| 100 - 200 | CHF.0.747 | CHF.37.17 |
| 250 - 450 | CHF.0.727 | CHF.36.21 |
| 500 - 950 | CHF.0.707 | CHF.35.25 |
| 1000 + | CHF.0.687 | CHF.34.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3061
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI45N06S409AKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 23.45mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 23.45mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie, integriert in das I2PAK-Gehäuse (TO-262).
N-Kanal - Anreicherungstyp
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
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