Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin TO-262

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RS Best.-Nr.:
218-3061
Herst. Teile-Nr.:
IPI45N06S409AKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-262

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

23.45mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie, integriert in das I2PAK-Gehäuse (TO-262).

N-Kanal - Anreicherungstyp

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

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