Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin TO-262

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.80.85

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 450 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.617CHF.80.64
100 - 200CHF.1.302CHF.65.31
250 - 450CHF.1.208CHF.60.48
500 - 950CHF.1.134CHF.56.44
1000 +CHF.1.05CHF.52.40

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3061
Herst. Teile-Nr.:
IPI45N06S409AKSA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-262

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

23.45mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.4 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie, integriert in das I2PAK-Gehäuse (TO-262).

N-Kanal - Anreicherungstyp

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Verwandte Links