Infineon OptiMOS T2 N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 80 A 94 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 857-6754
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N04S403AKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*
CHF.388.50
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 500 - 2000 | CHF.0.777 | CHF.385.88 |
| 2500 - 4500 | CHF.0.756 | CHF.376.43 |
| 5000 + | CHF.0.735 | CHF.366.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 857-6754
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N04S403AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Serie | OptiMOS T2 | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,7 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 94 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 10mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 4.4mm | |
| Höhe | 9.25mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Serie OptiMOS T2 | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,7 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 94 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 10mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 51 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 4.4mm | ||
Höhe 9.25mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2
Der neue OptiMOS ™ -T2 von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Senkung und elektrischen Antrieben. Die neue Produktfamilie OptiMOS™ -T2 ist eine Ergänzung der vorhandenen Familien OptiMOS™ -T und OptiMOS™.
OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.
OptiMOS™-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen bewältigen zu können und volle Flexibilität an engen Orten zu bieten. Diese Produkte von Infineon wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der verschärften Spannungsregelungsstandards für Computeranwendungen der nächsten Generation zu erfüllen und zu übertreffen.
N-Kanal – Anreicherungstyp
AEC-Zulassung
MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
AEC-Zulassung
MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow-Temperatur
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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